受講形式ライブ配信

パワーデバイス半導体SiC結晶と欠陥評価技術
~SiC結晶、欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法~
SiCパワーデバイスの生産性を低下させる原因となっているSiCウェハに含まれている多くの結晶欠陥を評価するには
SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
「欠陥」が発生するメカニズム、SiCウェハの欠陥評価法を理解し、高品質な結晶成長の実現へ
SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響、結晶欠陥の評価手法、、、、
「欠陥」が発生するメカニズム、SiCウェハの欠陥評価法を理解し、高品質な結晶成長の実現へ
| 日時 | 【ライブ配信】 2026年6月29日(月) 13:00~16:30 | |
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| 受講料(税込) | 49,500円 定価:本体45,000円+税4,500円 【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額の49,500円)】 ※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。 2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。 ※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。 ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。 ※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。 ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。 (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。) ※他の割引は併用できません。 ※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】 1名申込みの場合:受講料 定価:39,600円 定価:本体36,000円+税3,600円 ※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。 | |
本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。




