(9/18)リソグラフィー技術:2セミナーセット

価格帯: ¥66,000 – ¥82,500 (税込)
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次世代EUVリソグラフィー/レジストリソグラフィー技術2セミナーのセット申込みページ 【1日目:9/18】先端/次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向【2日目:9/30】レジストリソグラフ…

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セミナー

次世代EUVリソグラフィー/レジストリソグラフィー技術
2セミナーのセット申込みページ

【1日目:9/18】先端/次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向【2日目:9/30】レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策





日時 【ライブ配信】 2026年9月18日(金) 10:30~16:30
【アーカイブ配信】 2026年10月21日 まで受付
受講料(税込) 82,500円
定価:本体75,000円+税7,500円

【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン(1名あたり定価半額の82,500円)】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
※請求書(PDFデータ)は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
  (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合:受講料 定価:66,000円

定価:本体59,999円+税6,001円
※1名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLの特徴、並びにこれに係わる各基盤技術要素全般
(光源、光学系(多層膜を含む)、マスク、レジスト、ペリクルなど)

兵庫県立大学 高度産業科学技術研究所
次世代EUVL研究寄附講座 特任教授・名誉教授 渡邊 健夫 氏


国立大学法人 長岡技術科学大学 名誉教授
アドヒージョン株式会社 代表取締役社長 博士(工学) 河合 晃 氏

極端紫外線リソグラフィー技術について、Low NA EUVL, High NA EUVL, Hyper NA EUV, 短波長EUVLについてリソグラフィーの特徴と、EUV光源技術、多層膜技術、光学系技術、マスク技術、レジスト技術等基盤 技術全般に亘り解説します。

 レジストリソグラフィは微細加工を支える主要技術の一つであり、半導体、ディスプレイ、プリント基板、太陽電池、MEMS など、さまざまな電子産業分野で広く実用化されています。一方で、レジスト材料およびプロセス技術の高度化に伴い、これらの特性が製品に与える影響も一層大きくなっています。
 本セミナーでは、フォトレジスト材料の特性、プロセス最適化の方法、付着・濡れ・欠陥といった各種トラブルへの対応策に焦点を当て、評価・解決のアプローチを丁寧に解説します。さらに、レジスト形状・寸法制御、処理条件の設定方法、研究開発やトラブル対応など、実務での具体的な進め方についても、豊富な実例を交えて紹介します。
 本セミナーは、レジスト材料の開発者、レジスト処理装置の技術者、レジストユーザー、これからレジスト技術に携わる方、そしてリソグラフィ工程でトラブルを抱えている方々を対象とします。受講者の皆さまが日々直面しているトラブルやノウハウに関するご相談にも、個別に対応いたします。

追加情報

参加形態

テレワーク応援キャンペーン【オンライン配信1名受講限定】, 2名同時申込みで1名分無料, ライブ配信で参加, アーカイブ受講で参加

■1日目■ 【ライブ配信】2026年9月18日(金) 10:30~16:30 ※1日目はライブ配信のみ選択できます。
先端および次世代EUVリソグラフィー技術の基礎、最新技術動向と今後の展望

1.はじめに 1.1 IoTおよびAIに期待すること
 1.2 半導体市場
 1.3 半導体国際ロードマップから読み取れること
 1.4 半導体微細加工技術の必要性
 1.5 今後の半導体技術動向と市場との関係
 1.6 今後の半導体技術に期待すること

2.リソグラフィー技術
 2.1 リソグラフィー技術の変遷
 2.2 黎明期のX線縮小露光技術からEUVリソグラフィー技術への展開
 2.3 EUVリソグラフィーとは EUV光源、光学系、レジスト、マスク、露光機の概要

3.兵庫県立大学でのEUVリソグラフィー技術開発の取り組み
 3.1 日本、米国のEUVLプロジェクトの変遷
 3.2 ニュースバル放射光施設の紹介

4.EUVリソグラフィー技術課題に対する取り組み
 4.1 レジスト材料プロセス技術
 4.2 マスク欠陥技術
 4.3 ペリクル技術
 4.4 光源技術

5.次世代EUVリソグラフィー
 5.1 Hyper NA
 5.2 Beyond EUV(EUVリソグラフィーの短波化)

6.日本の半導体技術の過去、現在、今後 日本の半導体技術の覇権に重要な要素

7.まとめ


  □質疑応答□


■2日目■ 【ライブ配信】2026年9月30日(水) 13:00~16:30 ※2日目はいずれかの受講形式を選択できます。
      【アーカイブ配信を選択の場合:視聴期間】2026年10月21日(水)~11月4日(水)
レジストリソグラフィー技術の基礎と実務およびトラブル対策

1.パターン形成の基礎
 1-1 レジスト材料とプロセス
  ・プロセスフロー
  ・CAD設計
  ・シフト量
  ・ラインマッチング
  ・レジストの光化学反応
  ・ポジ、ネガ
  ・化学増幅型
  ・EUV
  ・TMAH溶解
  ・ポジ型/ネガ型の選択基準
 1-2 パターン露光描画
  ・露光システム
  ・レイリーの式
  ・重ね合わせ技術
 1-3 レジスト処理装置
  ・HMDS処理
  ・コーティング
  ・現像
  ・乾燥
  ・レジスト除去

2.レジスト寸法と形状最適化
 2-1 コントラスト制御
  ・光学像コントラスト
  ・残膜曲線
  ・溶解コントラスト
  ・現像コントラスト
 2-2 寸法と形状コントロール
  ・露光量/フォーカス依存性
  ・process window
  ・寸法リニアリティー
  ・バルク効果
  ・膜内多重反射
  ・段差部変動
  ・エッチング選択比
 2-3 改善プロセス技術
  ・反射防止膜
  ・PEB
  ・マルチパターニング技術
  ・位相シフト技術

3.レジスト欠陥・トラブル対策
 3-1 致命欠陥
  ・欠陥と歩留まり
  ・配線上異物
  ・致命/非致命欠陥
  ・ショート/オープン欠陥
  ・バブル欠陥
  ・塗布エッジ盛上り
  ・EBRエッジバックリンス
  ・接触異物
 3-2 レジスト剥離
  ・要因
  ・付着エネルギー
  ・乾燥剥離
  ・応力歪み、膨潤
  ・検査用パターン
 ・DPAT法
 3-3 レジスト欠陥と対策
  ・ストリーエーション
  ・膜分裂
  ・乾燥むら
  ・ソルベントクラック
  ・ピンホール、はじき
  ・膨れ
  ・パターン変形
  ・現像バブル対策

4.質疑応答
  (日頃の研究開発、トラブル相談にも応じます)

参考資料
 ・塗膜トラブルQ&A事例集(トラブルの最短解決ノウハウ)
 ・表面エネルギーによる濡れ・付着性解析法(測定方法)

配布資料 Live配信受講:PDFテキスト(印刷可・編集不可)
アーカイブ配信:PDFテキスト(印刷可・編集不可)

 ※セミナー資料は、電子媒体(PDFデータ/印刷可)をマイページよりダウンロードいただきます。
  (開催前日を目安に、ダウンロード可となります)
 ※アーカイブ配信受講の場合は、配信日にマイページよりダウンロード可。
 ※ダウンロードには、会員登録(無料)が必要となります。
オンライン配信 【Live配信の視聴方法】
【ライブ配信(Zoom使用)セミナー】
 ビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。

・ZoomによるLive配信 ►受講方法・接続確認(申込み前に必ずご確認ください)

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備考 資料 付
※講義中の録音・撮影はご遠慮ください。
※開催日の概ね1週間前を目安に、最少催行人数に達していない場合、セミナーを中止することがございます。

本セミナーはサイエンス&テクノロジー株式会社が主催いたします。

キャンセル規定(サイエンス&テクノロジー社の規定に準じます)

会場受講・ライブ配信・アーカイブ配信開催日から営業日で逆算し
7 営業日前まで:キャンセル料なし
6〜3 営業日前:受講料の 70%
2 営業日前〜当日・欠席:受講料の 100%
オンデマンド配信お申込み後 8 日以内(土日祝含む)で、視聴・テキストのダウンロードの形跡がない場合はキャンセルできます。
  • 代理の方のご受講が可能です(受講者変更のご依頼を承ります)。
  • ご入金後にご返金が発生する場合、振込手数料はお客様のご負担となります。
  • お申込み後の支払方法の変更はできません。