(10/16)酸化物半導体の基礎と三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

日時【ライブ配信】 2026年10月16日（金） 13:00～16:30

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。

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Category: エレクトロニクス, セミナー, 化学・材料

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酸化物半導体の基礎と
三次元集積デバイス応用に向けた研究開発動向

～酸化物半導体の材料・プロセス・デバイス特性（薄膜形成・トランジスタ形成技術）～
～三次元集積化技術（3Dメモリデバイス、DRAM、NAND）への展開～

★ライブ配信を欠席し、見逃し配信の視聴のみのご受講・お申込みも可能です。

■得られる知識■
・酸化物半導体の材料物性、プロセス技術、デバイス技術に関する基礎
・三次元集積デバイス応用に向けた最近の酸化物半導体デバイスの研究開発動向

【ライブ配信】 2026年10月16日（金） 13:00～16:30

受講料(税込)

49,500円
定価：本体45,000円＋税4,500円

【2名同時申込みで1名分無料キャンペーン（１名あたり定価半額の49,500円）】
※2名様とも会員登録をしていただいた場合に限ります。
2名様以降の受講者は、申込み前に会員登録をお済ませください。
※同一法人内(グループ会社でも可)による2名同時申込みのみ適用いたします。
※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。
※請求書（PDFデータ）は、代表者にE-mailで送信いたします。
※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
　　(申込みフォームの通信欄に「請求書１名ごと発行」と記入ください。)
※他の割引は併用できません。

※テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【オンライン配信セミナー受講限定】
1名申込みの場合：受講料定価：39,600円
定価：本体36,000円＋税3,600円
※１名様でオンライン配信セミナーを受講する場合、上記特別価格になります。

東京大学　生産技術研究所　教授　Ph.D（電子工学）　小林正治　氏
【ご経歴】
2010年　米国スタンフォード大学博士課程修了
2010年-2014年　米国IBMワトソン研究所プロパー研究員
2014年-2019年　東京大学生産技術研究所准教授
2019年-2025年　東京大学大学院工学系研究科附属d.lab 准教授
2025年より　東京大学生産技術研究所　教授
【ご専門】集積ナノエレクトロニクス
【WebSite】
https://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/

IGZOをはじめとする酸化物半導体は、低温形成可能、高移動度、透明、低リーク電流といった優れた特性を有し、ディスプレイ分野で量産技術として成功を収めた。現在、酸化物半導体の集積デバイス技術への応用への期待が高まってきている。特に、プロセッサとメモリアレイを同一チップに集積化するモノリシック3D集積化や、DRAMまたはNAND向けの三次元構造メモリへの応用が期待されおり、半導体メーカーでの研究開発も活発化している。このような状況をふまえて本講演では酸化物半導体の基礎を解説するとともに、最近の三次元デバイス応用に向けた研究開発動向を解説する。

１．背景
・酸化物半導体のニーズ
　 -なぜ酸化物半導体か？

２．酸化物半導体の基礎
・酸化物半導体の材料物性
　　-シリコンと何が違うか？
・酸化物半導体のプロセス技術
　　-薄膜形成技術、
　　-トランジスタ形成技術
・酸化物半導体のデバイス技術
　　-トランジスタの性能
　　-トランジスタの信頼性

３．三次元集積デバイス応用の研究開発動向
・集積デバイスの現状
　　-シリコンの限界
・モノリシック三次元集積技術
　　-混載メモリ
・三次元構造メモリデバイス
　　-三次元DRAM
　　-三次元NAND

４．まとめ

　□質疑応答□

追加情報

参加形態	ライブ配信で参加, テレワーク応援キャンペーン【ライブ配信・1名受講限定】, 2名同時申込みで1名分無料【ライブ配信】, 見逃し配信のみで参加, テレワーク応援キャンペーン【見逃し配信のみ・1名受講限定】, 2名同時申込みで1名分無料【見逃し配信のみ】

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キャンセル規定（サイエンス＆テクノロジー社の規定に準じます）

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