(7/24)2nm世代以降の先端半導体配線技術の最新動向

１．集積回路配線の基礎知識
　1.1 配線の微細化と3D化が求められる背景
　1.2 配線の役割と性能指標
　　1.2.1 配線の役割
　　1.2.2 階層化された多層配線構造
　　1.2.3 配線の性能指標
　　1.2.4 各配線層の役割に応じた要求性能
　1.3 配線信頼性の基礎知識
　　1.3.1 微細化に伴う配線信頼性の重要性
　　1.3.2 デバイスの故障と信頼性予測の手順
　　1.3.3 エレクトロマイグレーション（EM）
　　1.3.4 ストレス誘起ボイド（SIV）
　　1.3.5 TDDB
　　1.3.6 耐湿信頼性
　1.4 Cu/Low-k配線プロセス
　　1.4.1 Cu/Low-kダマシンプロセスと課題
　　1.4.2 Low-k絶縁膜と課題
　　1.4.3 ダマシン法に用いる要素プロセス（バリア・ライナ、めっき、リフロー、CMP）

２．2nm以降半導体に向けた配線の材料・構造・プロセス
　2.1 2nm以降半導体に向けた配線の課題
　　2.1.1 新材料への切り替え時期予測とロードマップ
　　2.1.2 2nm以降の微細パターンの形成方法（Self-Aligned Double Patterning）
　2.2 Cu配線の延命
　　2.2.1 Advanced Low-k膜（高プラズマ耐性Low-k膜）
　　2.2.2 バリア/ライナーの薄膜化
　　2.2.3 Cu埋め込み法の改善
　　2.2.4 グラフェンキャップによる改善
　　2.2.5 ビア抵抗低減のための新構造とプロセス
　2.3 Cu代替配線配線材料
　　2.3.1 代替配線材料の選択基準
　　2.3.2 代替配線材料をしぼり込む流れ
　　2.3.3 ルテニウム/エアギャップ配線(Ru/AG)
　　2.3.4 モリブデン
　　2.3.5 グラフェン
　　2.3.6 その他の代替配線材料
　2.4 2nm以降の配線信頼性
　　2.4.1 Ru/AG配線のEM信頼性とジュール発熱
　　2.4.2 Ru/AG配線のTDDB信頼性
　2.5 新構造とプロセス
　　2.5.1 配線とビアのセルフアライン接続構造とプロセス
　　2.5.2 裏面電源配線（Backside Power Delivery Network）と3D集積

　□質疑応答□